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关于I/O口输出的疑问。

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发表于 2024-1-9 23:05:57 | 显示全部楼层 |阅读模式

本帖最后由吽吽吽于 2024-1-9 23:20 编辑

弄了个12V电磁铁的控制器，目的是减少电磁铁吸合后的消耗，并延长使用寿命。

原理：上电磁铁吸合，吸合后通过单片机产生PWM信号，控制N-MOS管保持吸合状态

为什么要用单片机？因为我有几片8H8K的放着没用啊，电路简单啊。
弄硬件的时候没考虑周全,PCB已经制作完成了，I/O口直连MOS管栅级（阈值电压4V）。
为了保证上电电磁铁吸合，所以在栅级上用了一个上拉电阻，上拉接的是12V。
就是下面状态

准备焊接元件的时候发现问题了，
I/O输出高电平的时候是5V，而R1上拉的是12V，这个结果会不会导致单片机损坏。

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发表于 2024-1-9 23:23:13 | 显示全部楼层

嗯，因为功能单一，可以采用定时控制I/O口在高阻与下拉之间循环切换达到目的

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发表于 2024-1-10 06:27:12 | 显示全部楼层

I/O输出高电平的时候是5V，而R1上拉的是12V，这个结果会不会导致单片机损坏。

一定会导致单片机损坏。

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发表于 2024-1-10 06:36:52 | 显示全部楼层

会的，我用的方法是加光耦隔离

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发表于 2024-1-10 07:43:30 | 显示全部楼层

截图202401100742248939.jpg

https://www.stcaimcu.com/forum.p ... ptid=4830&pid=33168

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发表于 2024-1-10 08:15:07 | 显示全部楼层

R1接漏极。

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发表于 2024-1-10 09:42:22 | 显示全部楼层

愣是没看懂“通过单片机产生PWM信号，控制N-MOS管保持吸合状态”
5楼的原理图简单粗暴

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静坐常思己过，闲谈莫论人非

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发表于 2024-1-10 13:06:06 | 显示全部楼层

本帖最后由 rengran 于 2024-1-10 13:09 编辑

截图202401101258579212.jpg

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截图202401101305502765.jpg

当你的VCC是5V电源的话，估计会有挺大的电流流入VCC的电源，发热太大估计会噶了，除非你的VCC电流有保护。即使有保护，当你其他的端口按照5V的输出设计电路，则该端口的电流也比你理论计算的电流大两倍多，确实挺危险。

处事要代人所想，读书需切己用功

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发表于 2024-1-10 14:32:44 | 显示全部楼层

R1接地，PCB制作好了要么取消R1要么飞线。

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发表于 2024-1-10 16:26:02 | 显示全部楼层

PCB制作好了的化可以取消R1，然后在线圈的12V侧到地并联一个22uF电解电容

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