有人真实测试过EEPROM的写入次数吗？

名字不*** · 发表于 2023-11-1 09:36:44

如题，就是不停对同一地址反复擦除、写入、读出，直到操作失败，极限次数是多少？理论上官方说的是10W次，有这么高吗？

量子*** · 发表于 2023-11-1 13:16:09

这个相差很大，那个只是理论指标，比如硬盘说500万小时，可实际没那么长时间

gentl*** · 发表于 2023-11-1 13:24:45

好像听谁提起过，写了快30w次还没坏，他们写的很幸苦。

飞*** · 发表于 2023-11-1 14:36:25

一般10W次够了，一天10次，一年按4千次算，10年也才4W次，设备都该换一换了。。。。

神*** · 发表于 2023-11-1 18:28:43

10万次以上

梁*** · 发表于 2023-11-15 10:38:44

实际测试一般要超过50万次才会有个别字节写入不对，10万次是有很大冗余的。现在的FLASH制程一般50~100万次寿命是很正常的。

神*** · 发表于 2023-11-15 12:00:00

肯定是10万次以上，但不管内部还是外部FLASH/EEPROM ,
在掉电时，如正在改写有没及时写完就彻底掉电了，就会掉数据，
所以【唯一真确的内部/外部EEPROM的用法】是下面这篇文章：
截图202311151158391438.jpg

hsr*** · 发表于 2023-11-24 15:36:10

实际肯定超过10W次了，不然不达标的话能被告死

reng*** · 发表于 2023-11-28 17:11:20

在while函数里测试下，前提是你不打算用它了

选择*** · 发表于 2023-11-29 21:37:22

有兴趣的可以选个程序测试一下。

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