您提出的问题是关于 STC32G12K128 单片机 P6 口输入异常 的情况，结合您提供的电路描述、电压测量结果以及部分配置代码，现从硬件设计、电气特性、寄存器配置等方面进行专业分析，并提出改进建议。
一、问题描述总结
单片机型号：STC32G12K128
问题端口：P6 口
电路结构：
传感器输出电压范围：0~48V（高电平约 48V，低电平 建议：若用于输入检测，建议配置为 开漏输入（Open-drain Input）或高阻输入（High-Z）模式，以避免内部上拉影响。
4. 外部干扰或漏电流
若电路中存在漏电流路径，或 PCB 布线不合理（如高压与 IO 口距离过近）
可能造成 IO 口在低电平时仍有电压残留
三、改进建议
1. 调整分压电阻比例
目标：将传感器输入的 48V 信号分压至单片机可接受范围内（如 0~3.3V 或 0~5V）
推荐分压比：
R1（上拉）：47kΩ
R2（下拉）：3.3kΩ（或 4.7kΩ）
输出电压：Vout = Vin × R2 / (R1 + R2) ≈ 48 × 3.3 / (47 + 3.3) ≈ 3.1V
这样即使输入为 48V，IO 口电压也不会超过 3.3V，符合安全输入范围。
2. 增加钳位保护电路
建议在 IO 口前增加 TVS 管或肖特基二极管 至 VDD 和 GND，防止过压损坏。
使用双向 TVS（如 SMBJ5.0CA）连接在 IO 与 GND/VDD 之间
可有效吸收瞬态高压，保护 IO 口
3. 修改 IO 口配置
将 P6 口配置为 高阻输入（High-Z）或开漏输入 模式：
- c
- P6M1 = 0x00; // 高阻输入
- P6M0 = 0x00;
注意：不同型号的寄存器配置方式略有不同，请参考数据手册确认具体配置方式。
4. 增加输入缓冲/电平转换芯片
如使用 MOSFET 输入缓冲器 或 专用电平转换芯片（如 TXB0108），可有效隔离高压输入与单片机之间的直接连接。
四、建议电路结构（改进后）
- 传感器输出（0~48V）
- |
- +----[R1 = 47kΩ]----+----> IO 口（P6.x）
- |
- [R2 = 3.3kΩ]
- |
- GND
可选：在 IO 口前加 TVS 管至 VDD 和 GND，形成双向保护。
五、结论
当前 P6 口输入电压异常（低电平时仍有 2.8V）的主要原因包括：
1. 分压电路设计不合理，导致 IO 口承受过高电压；
2. 单片机 IO 口耐压限制未满足；
3. IO 口配置为“准双向口”，内部上拉可能影响输入判断；
4. 外部干扰或漏电流可能造成电压残留。
建议立即调整分压比例，增加保护电路，并优化 IO 口配置，以确保系统稳定运行。
如需进一步分析，建议提供完整的电路图及单片机供电电压信息（如 VDD 为 3.3V 或 5V），以便更精确判断。
如需，我可以为您提供完整的电路图建议或代码配置示例。
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