如何提高EEPROM的使用寿命-0等待延时，关于掉电保存数据

lzz***

琪*** 发表于 2022-12-10 21:55
刚才试了一下 没成功  这种写入方式数据失败

楼主测试的怎么样？？？能连续读/写地址+数据吗？  每写一个字节都关闭一次IAP，下一次再打开确实耗费时间

琪***

lzz*** 发表于 2024-3-6 20:37
楼主测试的怎么样？？？能连续读/写地址+数据吗？  每写一个字节都关闭一次IAP，下一次再打开确实耗费时 ...

能力与水平有限吧，经测试稳定性。我这边STC8 STC32依然采用写入单字节的方式。希望有大神可以提供连续写入的方式。

飞***

梁*** 发表于 2022-12-9 23:46
先擦除再写入，十几ms就可以完成。

市级电压正弦波半周期是10毫秒

飞***

神*** 发表于 2022-12-9 22:09
只要那个字节是 FFH 你就可以写，不是 FFH, 你就要擦除整个扇区

还可以检测RAM有没有数据被修改，如果有修改了，做个标志位，掉电判断需不需要保存EEPROM

梁***

飞*** 发表于 2024-4-3 08:24
市级电压正弦波半周期是10毫秒

我常用光耦PC814检测220V端，1ms内就检测到停电了。

晓***

梁*** 发表于 2024-4-3 09:20
我常用光耦PC814检测220V端，1ms内就检测到停电了。

要是市电不干净，频繁性的缺个别周波，那岂不把单片机玩死了

梁***

晓*** 发表于 2024-4-3 10:16
要是市电不干净，频繁性的缺个别周波，那岂不把单片机玩死了

市电是国家电网，怎么可能会缺个别波形？
就算缺信号，单片机也不会死啊，在呢么会吧单片机玩死？

21cns***

我觉得平时把用户放在RAM中，电源掉电或用户关机时再保存比较好。

飞***

飞*** 发表于 2024-4-3 08:24
市级电压正弦波半周期是10毫秒

误会了，我是说用要在10MS内进行可控硅斩波，所以保存花的时间太长会受影响。只能改电路板了，用你的方式试试，这方式比我以前的用的成本低得多，希望能稳定

aho***

神*** 发表于 2022-12-10 19:29
平常不要操作 STC32G/STC8H的EEPROM：
1，上电时读到 SRAM 中；
2，平常在SRAM中改写；

不使用比较器，使用低压中断不行吗