专业理工男 发表于 2025-7-2 11:51:38

多功能电子负载

最近设计了一个电子负载,有没有做过的大佬帮看看,指点下有没有啥问题或需要改进的地方。

DebugLab 发表于 2025-7-2 14:23:14

C25、C26建议改为1n~10n
否则快速拧编码器反应不过来

Type-C两个CC分别接5.1K到GND
否则使用C-C线没供电

Q1用法不正确
控制VCC,用PMOS,S接VCC,D接负载,G上拉,低电平有效
MOS是电压控制的,不能接成类似BJT射随器的方式

Q2换MOS
TFT背光是白光LED,白光LED是蓝色(波长约450nm)LED芯片和黄色荧光材料,蓝色LED压降约3.0~3.2V,Q2+R13允许压降约0.1~0.3V,BJT压降约0.6~1.2V,不合理

梁工 发表于 2025-7-2 22:12:08

编码器开关直接将104电容对地短路,大电流很容易让开关失效,公共端应该串联100欧姆电阻到GND。C25、C26改为103或不用(用软件防抖)。
负载电流控制电路部分,猜测是使用PID,注意整个环路的响应速度:
1、建议PWM滤波使用一阶无源+二阶有源(运放U8.1,注意Q值选择),会有更快的响应速度和更低的纹波。
2、U8.2的C33建议改为1nF0~10nF(看情况),100nF感觉过大。

梁工 发表于 2025-7-2 22:14:59

DebugLab 发表于 2025-7-2 14:23
C25、C26建议改为1n~10n
否则快速拧编码器反应不过来



Q2使用8050没问题,基极电阻1K,IO输出3.3V,8050输出100mA(深度饱和)VCE一般不超过0.1V。

zengchang 发表于 2025-7-2 23:18:02

这个负载多大功率啊

专业理工男 发表于 2025-7-3 15:17:40

DebugLab 发表于 2025-7-2 14:23
C25、C26建议改为1n~10n
否则快速拧编码器反应不过来


1.C25、C26改为10nF后效果确实好很多,原来电容充电在1ms左右,有点慢,现在在0.1ms左右,响应速度快了许多,滤波效果也很好!
2.TYPE-C目前没有用到供电功能,只是用来下载和通讯的,目前测试是正常的,供电是过DC005接口来的,就是不知道那两个电阻是否会影通讯。
3.Q1确实是要PMOS管,现在测试输出只有3点几伏,栅极和源极电压不满足了。
4.Q2的梁工说的对,进入饱和区后实测压降只有0.014V。

专业理工男 发表于 2025-7-3 17:20:38

DebugLab 发表于 2025-7-2 14:23
C25、C26建议改为1n~10n
否则快速拧编码器反应不过来


Q1改成PMOS测试了下貌似也不行,关不断,好像和单片机IO口的钳位二极管有关,PMOS基级最高只能到3.66V,而电控制电源是5V的,电路如下,后面看了下其实可以直接控制TP4056使能端的,不用再加一个电路控制通断。

专业理工男 发表于 2025-7-3 17:32:42

梁工 发表于 2025-7-2 22:12
编码器开关直接将104电容对地短路,大电流很容易让开关失效,公共端应该串联100欧姆电阻到GND。C25、C26改 ...

1.看了下编码器结构原理,加电容滤波的话确实要在公共端串接限流电阻好一点。
2.PWM滤波的话目前看了下模电属于简单二阶低通有源滤波典型电路,您说的这种目前还不会设计。{:xiaoku:}
3.感觉是有点大,但不知道这参数是该咋计算的。

专业理工男 发表于 2025-7-3 17:34:28

zengchang 发表于 2025-7-2 23:18
这个负载多大功率啊

1.MOS管耗散功率是200W的,设计目标是100W,但目前因为散热不太好问题只能到60W左右。

zengchang 发表于 2025-7-3 21:07:34

不管怎么说能实现已经很不错了,给你点赞{:4_250:}
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