zengchang 发表于 2025-7-3 21:07:34

不管怎么说能实现已经很不错了，给你点赞{:4_250:}

梁工 发表于 2025-7-3 23:00:55

专业理工男 发表于 2025-7-3 17:20
Q1改成PMOS测试了下貌似也不行，关不断，好像和单片机IO口的钳位二极管有关，PMOS基级最高只能到3.66V，而 ...

单片机的嵌位二极管是反接在IO和VCC之间、IO和GND之间，不对对IO的输出电压有任何影响的，这是你电路的问题，用3.3V控制S极接5V的P-MOSFET，这是错误的，会导致管子一直导通的，应该使用一个N管反相（电平移位）再接P-MOSFET。

梁工 发表于 2025-7-3 23:01:57

专业理工男 发表于 2025-7-3 17:34
1.MOS管耗散功率是200W的，设计目标是100W，但目前因为散热不太好问题只能到60W左右。 ...
电子负载用的散热风扇功率不能小，根据温度控制转速。

专业理工男 发表于 2025-7-11 17:54:56

梁工 发表于 2025-7-3 23:01
电子负载用的散热风扇功率不能小，根据温度控制转速。

测试了下主要是MOS管热量无法很好传到散热器上，换好一点的导热硅胶现在可以到100W了。

梁工 发表于 2025-7-11 18:03:34

专业理工男 发表于 2025-7-11 17:54
测试了下主要是MOS管热量无法很好传到散热器上，换好一点的导热硅胶现在可以到100W了。 ...

可以多管并联，分散发热、散热。
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