有个疑问,之前我用0.1uf都可以掉电保存.现在2.2uf都不行了
之前我用P32管脚接一个0.1uf电容,串一个1M的电阻,可以做到检测P32高低电平进行写入eeprom现在做了个新的计时器,用了ADC做掉电写eeprom,,用的3.3v. 然后adc值小于3000mv写eeprom
只写入,不擦除,用的均衡写..用47uf 可以连续写5-8次,证明电容有余 .我换10uf 也可以写入 ..但是换2uf就不行了.但是之前我的0.1uf都可以写入的
有什么办法让1uf 也可以写入吗? 或者更小的电容
正常操作我是adc检测 电压低于3000mv开始写,写完马上休眠PCON=0X02
只有这个是正解:
EEPROM的使用 请 配合比较器做掉电检测 - EEPROM/DataFlash 国芯技术交流网站 - AI32位8051交流社区
这个可能与你要写的数据多少也有关吧,电容太小时间就短 再一个你得考虑时间长了,电容老化,容量下降的问题吧 jwd 发表于 2025-5-8 14:29
这个可能与你要写的数据多少也有关吧,电容太小时间就短
已经弄好了.
现在用lvd中断处理, 电容用的2.2uf 神农鼎 发表于 2025-5-8 13:20
只有这个是正解:
这个是最优的办法了.没有之一
但是stc8g1k08a 没有比较器.
我现在退而求其次,用lvd中断来. 2.2uf的电容. lvd中断===绝对错误的做法,时间不够,没处理完就复位了 增大单片机5V供电滤波电容试试。 神农鼎 发表于 2025-5-8 16:49
lvd中断===绝对错误的做法,时间不够,没处理完就复位了
是的,功能实现了
但是有一个超级大的bug.
整到现在还没弄明白.
里面的指令处理不完 cjtdz 发表于 2025-5-8 18:53
增大单片机5V供电滤波电容试试。
就是不想增大太多了.