xxkj2010 发表于 2025-5-9 09:20
数据不多不大应该可行
但我总觉得这样不太可靠，因为LVD中断就表明低电压了，低电压写EEPROM，一般不提倡 ...
确实是不靠谱,但是暂时我没有别的办法了.
搜了一下,最好的就是比较器.
其他的adc,IO口,pwm
我就做个上电次数,时间检测.能用就行
xxkj2010 发表于 2025-5-9 09:20
数据不多不大应该可行
但我总觉得这样不太可靠，因为LVD中断就表明低电压了，低电压写EEPROM，一般不提倡 ...
保险起见就是10uf电容,肯定够够的了
昨天我试了0.1uf,也能写,但是偶尔会乱码
vb2002 发表于 2025-5-9 09:30
保险起见就是10uf电容,肯定够够的了
昨天我试了0.1uf,也能写,但是偶尔会乱码 ...
我直接用1000uf电容，大力出奇迹，总共也就保存20几个参数{:4_245:}
manzunzu 发表于 2025-5-9 09:37
我直接用1000uf电容，大力出奇迹，总共也就保存20几个参数
1000uf按照我这个的话,绰绰有余了.
如果单单只是用个掉电保存的话.真的有点浪费了
vb2002 发表于 2025-5-9 09:29
确实是不靠谱,但是暂时我没有别的办法了.
搜了一下,最好的就是比较器.
其他的adc,IO口,pwm
数据不太严格还好
不知道没有比较器的MCU，能否采用下面的电源供给电路来检测电压，尽早做出断电保存数据的决断（C1可以根据实验确定容量）
xxkj2010 发表于 2025-5-9 10:27
数据不太严格还好
测试好几个小时了.没见失误过,都能正常写入,也能正常读取
我一共就读 4个字节, 一个u16 ,三个u8
xxkj2010 发表于 2025-5-9 10:35
不知道没有比较器的MCU，能否采用下面的电源供给电路来检测电压，尽早做出断电保存数据的决断（C1可以根据 ...
这个可以,昨天我就见过这个电路.不过不是用的adc, 是用的io口,通过调整R1R2分压,给出实际掉电检测电压.文章上建议5v系统用4v来检测
你这个二极管给我启发了.
加上二极管可以更好的延迟掉电后的供电时间
vb2002 发表于 2025-5-9 10:41
测试好几个小时了.没见失误过,都能正常写入,也能正常读取
我一共就读 4个字节, 一个u16 ,三个u8 ...
你的LVD中断是选择那个最大的门槛电压3.0V吗？
xxkj2010 发表于 2025-5-9 10:46
你的LVD中断是选择那个最大的门槛电压3.0V吗？
都试了.全部没问题.
都可以正常写入