32G系列的DataFlash/EEPROM连续写入900W次了怎么还没挂,太辛苦了

Mat***

vb2*** 发表于 2025-1-24 11:23
不好意思
我以为是代码连接
你可以拍照用照片转文字转一下

这是个好办法

vb2***

Mat*** 发表于 2025-1-26 08:15
这是个好办法

你也在弄 按字节写入,均衡磨损eeprom吗
有研究出代码吗?
我也在弄, 遍历后老是出错

vxfk***

测试方法不对。手册上说了每个BIT的1->0算写入，0->1算擦除。所以你先写一次1，第二次写2，你以为你写了两次，实际上Bit0和Bit1都只有一次变化，其他的数字也是以此类推。你要测就得全写0，才是正确的寿命

asac***

充放一次电，才算一次写入。纯粹加1写入，除非一直写在同一地址才行，而且只有最低位达到了最大执行次数。

Mat***

vb2*** 发表于 2025-1-26 11:45
你也在弄 按字节写入,均衡磨损eeprom吗
有研究出代码吗?
我也在弄, 遍历后老是出错

我的想法是根据实际设置够大的EERPOM存储数据，每次存储数据都逐渐加在末尾，直到所有的页写满，擦除后再写，这样动态的改变，本来一个地址要写几十次，分开就只写一次，重复多个地址就可以了，避免写坏一个地址，还充分利用存储区。每次一个新的数据，序号增加1。

Mat***

图片代码看着很好，不能直接用，识别出来贴一下：

staticvolatileunsignedintSum_Ms=0;
staticvolatileunsigned char Sum_Flag=0;
void Sum_Reset(void)
    Sum_Ms=0;
    Sum_Flag=0;
//1ms定时器中断里面运行
    测试就直接Sum_Ms>=1让eeprom直存数了
void Sum_Timer_Process(void)
    Sum_Ms++;
    if(Sum_Ms>=
    1
    Sum_Ms=0;
    Sum_Flag=1;
void APp_Sum_Process（unsignedint *p_timer_delay_ms)
    if（1==Sum_Flag）
    Sum_Flag=0;
    Measured_Sum_Value +=1;
    Mdata_Write_Long(APp_Section,MEM_SUM_VAL,Measured_Sum_Value);
    if（Measured_Sum_Value 1=Mdata_Read_Long(APP_Section,MEM_SUM_VAL,0,99999999,θ）)
    Measured_Sum_Value-=1;
    ERR_State=1；//报错
    //APP_Section=2;MEM_SUM_VAL=0;


void Mdata_Write_Long（unsigned char section,unsigned int addr，signed long dat)
    unsignedinti;
    for（i=0;i<EEPROM_BUF_LENGTH;i++）EEPROM_BUF[i]=EEPROM_Read(seCtion,i);
    EEPROM_BUF[addr]=dat>>16;
    EEPROM_BUF[addr+1]=dat&0Xe00OFFFFL;
    IapErase（512UL*section）;//擦除第N片区
    for（i=O;i<EEPROM_BUF_LENGTH;i++）EEPROM_Write（SeCtion,i,EEPROM_BUF[i]）;
signed long Mdata_Read_Long(unsigned char section,unsigned int addr,signed long min,signed long max,signed long def)
    signed longdat;
    dat=EEPROM_Read（section,addr);
    dat<<=16;
    dat|=（EEPROM_Read（section,addr+1)&eXOO0OFFFFL);
    if（dat>max1|dat<min）dat=def;
    return dat;


signed int EEPROM_Read（unsigned int section,unsigned intaddr)
    signed int dat;
    addr=section*512+addr*2;
    dat=IapRead（addr);
    dat<<=8;
    dat=dat|（IapRead（addr+1)&ex00FF);
    returndat;
void EEPROM_Write（unsigned int section,unsigned int addr,signed int dat)
    IapProgram(section *512+addr*2,（unsigned char)（dat>>8）);
    IapProgram(section*512+addr*2+1,（unsignedchar)（dat&oxeoFF));


unsigned char EEPRoM_Test（unsigned char section)
    unsigned int i;
    unsigned char dat;
    IapErase（512UL*section）;//除第N片区
    for（i=0;i<512;i++）
    dat=IapRead(512UL*section+i）;
    if（θxFFI=dat）return 1;
    for（i=0;i<512;i++
    IapProgram(512UL*section+i,0x00）;
    for（i=0;i<512;i++）
    dat=IapRead(512UL*section+i）;
    if（exeeI=dat）return 1;
    return0;

vb2***

Mat*** 发表于 2025-10-8 15:35
我的想法是根据实际设置够大的EERPOM存储数据，每次存储数据都逐渐加在末尾，直到所有的页写满，擦除后再 ...

我的已经弄好了. 挺好用的, 每次按照自己实际需要的来写,写完自己定的目标就擦除,然后从头开始写

Mat***

vb2*** 发表于 2025-10-8 17:26
我的已经弄好了. 挺好用的, 每次按照自己实际需要的来写,写完自己定的目标就擦除,然后从头开始写 ...

昨天刚完成读写操作，今天有待进一步测试，再完善功能。