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STC12C5616AD操作EEPROM/DataFlash

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发表于 2025-9-23 11:19:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
1.STC12C5616AD操作EEPROM/DataFlash的时候,发现程序复位比较频繁,我是里边有个定时器,每分钟去做一次保存时间,分钟操作一次EEPROM/DataFlash,读写后有1~2秒就会复位。

2.芯片型号 : STC12C5616AD

关于此芯片的重要说明:
  固件版本在v6.6及以上的芯片的EEPROM : 14336字节(0000H-37FFH)
  固件版本低于v6.6的芯片的EEPROM     : 13312字节(0000H-33FFH)
问题是怎么确认固件版本?
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发表于 2025-9-23 11:26:26 | 显示全部楼层
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发表于 2025-9-23 11:45:44 | 显示全部楼层
频繁擦除会消耗FLASH寿命,实时数据保存在SRAM,掉电前再保存到EEPROM
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发表于 2025-9-23 11:55:38 | 显示全部楼层
可以检测低电压标志位,电压低了执行一次保存吗?
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发表于 2025-9-23 15:16:46 | 显示全部楼层
dUAN*** 发表于 2025-9-23 11:55
可以检测低电压标志位,电压低了执行一次保存吗?

可以看看这个帖子https://www.stcaimcu.com/thread-20266-1-1.html
截图202509231517026364.jpg
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