jwd 发表于 2024-4-29 09:06:55

chen 发表于 2024-1-9 20:35
应该是这样的原因，817的pn结CB之间存在微小的结电容存储的电荷没有地方释放导致的电压变高，根据手册的io ...

{:4_250:}

Kingsley 发表于 2024-4-29 13:28:39

jwd 发表于 2024-4-29 08:51
R7 100欧是不是太小了？

画图没改标注实际用的是1K

jwd 发表于 2024-4-29 15:28:53

Kingsley 发表于 2024-4-29 13:28
画图没改标注实际用的是1K

1k电阻都有点小啊，流过光耦的电流有点大

小涵子爸爸 发表于 2024-4-29 15:54:53

感谢分享

hbsuntt 发表于 2024-4-29 17:02:15

R7和R6阻值太小，R6日常用1K，R7用4.7K

梁工 发表于 2024-5-6 14:20:17

没有看明白你的描述，烧的是哪个IO？是光耦输入的X1还是输出的P10？
X1如果是IO则上拉24V是错误的，100R电阻也要用更大，比如510R。
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查看完整版本: 有没有电路大神帮忙分析一下，不加0.1U电容会烧IO的原因？