zhudean11 发表于 2024-3-25 15:27:08

好资料，感谢分享

西红柿牛柳 发表于 2024-3-26 08:31:42

感谢大神分享，学习了！~

西红柿牛柳 发表于 2024-5-10 10:05:35

今天又因为板子重新看了一遍，感谢除蛊大师！感谢梁工！

李宛青 发表于 2024-5-10 16:35:29

系统！生动！形象！ 感谢除蛊大师！感谢梁工！

ercircle 发表于 2024-12-17 09:26:23

感谢两位大佬，学习一波

此处是否笔误？：


漏源极击穿电压（BVDSS）：当施加在MOSFET漏极和源极之间的电压超过了其最大额定漏源极击穿电压时，可能会发生雪崩击穿或者直接导致器件损坏。

lgnstar 发表于 2024-12-18 14:29:32

<p>感谢分享</p>

angalp 发表于 2025-2-20 13:29:01

感谢分享，收藏。

Ai_Std_25 发表于 2025-7-16 11:25:01

收藏，学习了{:baoquan:}

网老四 发表于 2025-7-17 11:02:57

DebugLab 发表于 2023-10-18 01:58
MOSFET一般使用共源极(Source，以下称S极)接法，其中N沟道(以下称N型)MOSFET，S极接地，栅极(Gate，翻译为 ...

这个自举电路部分有很大风险,建议楼主再考虑下.
1,下管开通前必须让上管驱动三极管也开通,不然两MOS直通烧毁
2,上电时,或两输入均低电平时候,上管GS电压受离散参数影响,很大概率会开通.
3,不适合更高电压供电场合.

梁工 发表于 2025-7-17 12:26:05

网老四 发表于 2025-7-17 11:02
这个自举电路部分有很大风险,建议楼主再考虑下.
1,下管开通前必须让上管驱动三极管也开通,不然两MOS直通 ...
那只是原理上的描述，实际使用要考虑你所说的问题：



页: 1 [2]
查看完整版本: STC 51 常见【MOS管】控制电路，网友【除盅大师】参考线路，大家帮核对补充