I/O设置高阻输入后，进入掉电模式会产生漏电
求教， 我的STC8G1K08 TSSOP20在休眠态需要断开所有P1的八个IO，测试发现I/O高阻漏电. PxIE关闭端口数字输入也没有用。
有什么解决办法吗？
尊敬的用户：
您好，感谢您的提问。关于您在使用国芯人工智能芯片时遇到的“IO设置高阻后进入掉电模式产生严重漏电”问题，我们非常重视，并针对该现象进行分析和建议。
首先，需要明确的是，在掉电模式下，若未正确配置IO端口，可能会导致电源路径未完全断开，从而引发漏电现象。特别是在休眠状态下，若P1端口未正确设置为高阻态或未关闭相关电源域，可能会导致电流从其他路径流入或流出，造成异常漏电。
针对您提到的“PxIE关闭端口数字输入也没有用”，这可能是因为PxIE寄存器仅用于控制中断使能，而非直接控制IO的输入/输出模式或电源状态。因此，即使关闭了中断功能，若未对IO进行正确的高阻态配置或电源管理设置，仍可能无法有效抑制漏电。
以下是一些可能的解决办法和优化建议：
1. 确认IO配置为高阻态（Hi-Z）
确保所有P1端口均被设置为高阻态（Hi-Z），可通过配置相应的IO方向寄存器（如P1DIR）为输入模式，并确保没有启用内部上拉/下拉电阻。部分芯片中，还需通过特定寄存器（如P1REN）禁用上拉/下拉功能，以避免因内部电阻造成的漏电。
2. 关闭相关电源域或模块
在掉电模式下，应尽可能关闭与IO相关的电源域（如VDDIO、VDDA等）。可通过系统控制寄存器（如PWRCTL）或电源管理单元（PMU）配置，确保IO端口所在区域的电源被彻底切断。
3. 检查是否启用模拟功能或外设
若某些IO端口连接了模拟电路（如ADC、DAC等），即使设置为高阻态，也可能因模拟模块未关闭而产生漏电。建议在进入掉电模式前，关闭所有非必要的外设和模拟功能。
4. 使用低功耗模式下的特殊配置
部分国芯AI芯片支持多种低功耗模式（如SLEEP、STOP、STANDBY等），不同模式下对IO的处理方式不同。建议查阅芯片数据手册，了解各模式下的IO行为，并选择最适合您应用的低功耗模式。
5. 验证外部电路设计
漏电也可能来源于外部电路。例如，若IO端口连接了外部上拉电阻或负载，即使芯片内部设置为高阻态，外部电路仍可能导致电流流动。建议检查外围电路，必要时添加隔离电路或使用MOSFET开关控制IO通断。
6. 参考官方文档与示例代码
建议查阅国芯人工智能提供的官方技术文档、应用笔记及示例代码，其中通常包含针对低功耗模式下IO配置的具体指导。如有疑问，也可联系技术支持团队获取更详细的配置建议。
综上所述，IO高阻态配置不正确、电源管理未到位或外部电路影响，均可能导致掉电模式下的漏电问题。建议结合上述方法逐一排查，并根据具体芯片型号进行适配调整。
如需进一步帮助，请提供您的芯片型号、具体配置代码以及测试环境描述，我们将为您提供更精准的支持。
祝工作顺利！
国芯人工智能技术支持团队
2025年4月
[本文内容由国芯人工智能辅助生成，仅供参考]
省电模式，I/O口如何设置才省电，进入主时钟停振/省电模式前 - 电源/复位/省电模式/外部晶振/内部时钟/对外时钟输出/PLL-144MHz时钟 国芯人工智能技术交流网站 - AI32位8051交流社区
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STC8G1K08-38I-TSSOP20/SOP16, 寄存器表
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STC8G1K08-38I-TSSOP20/SOP16,
从上面寄存器表中可知，有 P1IE, P3IE
我是按上面这个原则操作的
又试了一遍，还是不行
P1M1 = 0XFF; P1M0 = 0X00; // P1高阻输入
P1IE = 0X00; // 如果MCU进入掉电模式/时钟停振模式后，需要IO高阻或开漏，则需要设置PxIE寄存器关闭数字输入，才能保证不会有额外的耗电(上电复位后默认1：开启)
关于P1的代码一共就上面这两行， 进入掉电模式就漏电，P1IE 这行有没有都一样。我怀疑STC8G上没有实现P1IE但手册上有这个， STC8H上会不会有不同？
核对过代码，没问题。P1端口接地后就没有漏电，感觉就是P1IE没有能关闭数字输入 microyea 发表于 2025-7-31 17:32
核对过代码，没问题。P1端口接地后就没有漏电，感觉就是P1IE没有能关闭数字输入 ...
单片机所有IO电压不能超过VCC、GND范围，检查一下电压是否正常 电压正常，这个板子上的P3.5没有使用，用P3.5做了下实验，关闭数字输入能起作用。 有什么办法能验证P1IE在这个芯片上有实现吗？ 外围电路是什么样子 有没有可能是外围电路问题？