关于32G12K128的EEPROM
各位老师好,我看手册里写E2之前必须要擦除,然后擦除只能擦一个扇区512字节,耗时5-6ms,我每秒都需要写入几个字节的数据到E2,其余大部分数据都是要保留的,如果每秒都要增加5-6ms,延迟上面无法接受,如何做到每次只擦除指定地址和指定长度的E2字节?只能擦除扇区吧。可以先只改内存缓冲区里数据,定时一起写入。
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ercircle 发表于 2025-6-19 10:00
只能擦除扇区吧。可以先只改内存缓冲区里数据,定时一起写入。
好吧,只能擦一整片扇区的话我得加外部e2了 GreeknWood 发表于 2025-6-19 10:51
好吧,只能擦一整片扇区的话我得加外部e2了
你应该把完整需求发下看有没有人做过。
比如写入频率是秒级,为什么ms级擦除会受延迟影响。 每秒擦除一次可能只有几天的寿命,十万次(全温度范围十万次,据说实际测试在室温下超过20万次寿命)很快就会用光
建议实时修改的数据保存在RAM里,掉电时再写入到EEPROM
可以用比较器判断电源状态(在前级采样,如市电或LDO前,配合电解电容储能),高可靠应用场合可以使用法拉电容储能
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