使用AI8G1K08A，读取flash内的BG电压数据，直接计算VCC
stc单片机内部有一个电压接近1.19v的带隙基准电压（后文简称BG），出厂校准值直接存储在flash中，具体位置可以在手册中“存储器”章节寻找。通过读取这个电压，再使用ADC测量15通道的回报值，就可以直接计算VCC，这一过程完全在单片机内部实现，不需要外部连线。具体原理为，adc测量电压后会回报一个数值，叫做码数，adc是靠比较测量电压的，参考源是vcc。如果是十位adc，码数范围为0~1023，12位为4096。stc单片机adc的15通道固定测量内部bg电压值，读取这个电压，可以得到1.19v bg电压对应的码数，通过除法计算，可以直接得到毫伏每码这个值。而adc测量vcc，由于参考的就是vcc，所以回报的是满量程值，那么就可以省去测量vcc的过程，直接用满量程码数1024乘以毫伏每码，直接得到vcc电压。
而bg电压是一个在1.19v左右的值，会因为制造过程产生差异，烧录程序时我们可以看到软件会回报带隙电压校准值，实际上这个值就是直接存储在flash中的，所以可以手动读取。这个值为一个分为高八位和低八位的十六位二进制数，高字节在前，分为4个四位二进制组，读取之后可以直接组合为毫伏整数值。可以直接用于计算。
以下为示范代码，使用stc8g1k08a单片机，主频6MHZ，通过一个连接到P30的外部led表示电压状态，如果vcc大于4v，则亮起，如果小于4v，则熄灭，使用迟滞比较，防止震荡。其实我一开始照着范例写的代码一堆报错，让ai改了下就好了。本代码可以用于验证adc功能。
#include "STC8G.H"
#include "intrins.h"
// 函数声明
unsigned int BGV_READ(void);
unsigned int ADC_READ(void);
unsigned int ADC_FILTER(void);
void VCC_CAL(void);
void LED_CONFIG(void);
// 全局变量声明
unsigned int bg_mv; // 存储带隙电压值
unsigned int nADC_BUFF; // 存储ADC采样值的数组
unsigned int vcc_value; // 存储计算出的VCC值
// 从idata读取带隙电压值
unsigned int BGV_READ(void) {
unsigned int temp = *((unsigned int idata *)0xEF);
return temp;
}
// ADC读取函数
unsigned int ADC_READ(void) {
unsigned int res;
ADC_CONTR |= 0x40; // 启动ADC转换
_nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); // 短暂延时
while (!(ADC_CONTR & 0x20)); // 等待转换完成
ADC_CONTR &= ~0x20; // 清除完成标志
res = (ADC_RES << 8) | ADC_RESL; // 合并高8位和低8位
return res;
}
// ADC滤波函数（冒泡排序 + 中值平均滤波）
unsigned int ADC_FILTER(void) {
unsigned char i, j;
unsigned int k;
unsigned long sum = 0;
unsigned int vcc; // 声明放在作用域开头
// 采集8个样本
for(i = 0; i < 8; i++) {
nADC_BUFF = ADC_READ(); // 调用ADC读取
}
// 冒泡排序
for(j = 0; j < 7; j++) {
for(i = 0; i < 7 - j; i++) {
if(nADC_BUFF > nADC_BUFF) {
k = nADC_BUFF;
nADC_BUFF = nADC_BUFF;
nADC_BUFF = k;
}
}
}
// 取中间4个值（索引3-6）求平均
for(i = 3; i <= 6; i++) { // 修正：索引3-6共4个值
sum += nADC_BUFF;
}
sum = (sum + 2) / 4; // 四舍五入并求平均
// 计算VCC（使用带隙电压bg_mv），1024对应10位ADC
vcc = (unsigned int)(1024UL * bg_mv / sum);
return vcc;
}
// 初始化ADC并计算VCC
void VCC_CAL(void) {
// 初始化ADC
P_SW2 = 0x80; // 访问扩展寄存器
ADCTIM = 0x3F; // 设置ADC采样时间
P_SW2 = 0x7F; // 关闭扩展寄存器访问
ADCCFG = 0x2F; // ADC时钟 = 系统时钟/2/16
ADC_CONTR = 0x8F; // 使能ADC，选择通道15（带隙电压）
// 读取带隙电压（如果未读取过）
if (bg_mv == 0) {
bg_mv = BGV_READ();
}
// 计算VCC
vcc_value = ADC_FILTER();
}
// LED初始化
void LED_CONFIG(void) {
P3M1 = 0x00; // P3模式设置
P3M0 = 0x01; // P3.0推挽输出
P30 = 1; // 初始LED灭
}
// 主函数
void main() {
unsigned int current_vcc; // 声明放在作用域开头
LED_CONFIG(); // 初始化LED
BGV_READ(); // 读取带隙电压（存储在bg_mv）
VCC_CAL(); // 初始化ADC并计算VCC
while(1) {
VCC_CAL();// 更新VCC值
current_vcc = vcc_value; // 使用全局变量值
// 迟滞比较：电压>4000mV时开LED；电压<3900mV且LED亮时关LED
if (current_vcc >= 4000) {
P30 = 0; // LED亮
}
else if ((P30 == 0) && (current_vcc < 3900)) {
P30 = 1; // LED灭
}
}
}
使用STCG1K08A单片机读取BG电压的原理及代码示例
1. 单片机基本配置
型号：STCG1K08A
内部参数：
带隙基准电压（BG）：119V
ADC位数：15位（16位二进制数）
满量程值（VCC）：5V
内部特性：
BG电压通过存储器存储并校准，校准值通过 flash存储
ADC读数基于VCC电压
2. 原理分析
1. 读取BG电压
ADC读数基于VCC电压进行比较，代码中直接读取BG电压对应的码数。
BG电压为119V，通过十六位二进制数表示：49650（高八位4965，低八位650）。
2. 读取VCC电压
ADC满量程为1024（对应5V）。
VCC电压读取为1024 × 毫伏每码。
3. 示例代码修改说明
以下为修正后的示例代码，用于验证ADC功能：
```cpp
include "STC8GH"
include "intrinsh"
void ADCREAD(void) {
unsigned int VCC = ADC.Read(0x00, 0x7F); // ADC读取5V值，对应1024
unsigned int BG = ADC.Read(0x80, 0x7F);// ADC读取119V值，对应512（5V=1024/2）
// 转换BG电压为毫伏
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/2 = 512
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/4 = 256
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/8 = 128
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/16 = 64
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/32 = 32
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/64 = 16
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/128 = 8
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/256 = 4
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/512 = 2
VCC >>= 8; // 除以2，得到1024/1024 = 1
// 转换为毫伏
VCC
[本文内容由国芯人工智能辅助生成，仅供参考]
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