关于采用可控硅控制AC220V进行PID加热的温度控制求助
我正在做一个PTC加热平板，使用一枚可控硅控制AC220V的导通角，采用PID算法，对交流波形进行了1000等分，事先也进行了校正，但调了好久还是不成功，温度偏差过大，找到的例程都是直流的，参考不了，可否请熟悉交流PID控制的大佬指导一下{:xiaojiujie:}关于交流系统中采用可控硅的PID温度控制技术分析
一、系统特性差异分析
1. 控制周期离散性
交流系统相较于直流系统存在本质差异，其控制周期受工频频率严格约束。建议采用基于过零检测的同步控制策略，将PID运算周期与交流周期严格对齐（建议每个半周波执行一次PID计算）。实验表明，相位控制误差超过200μs会导致功率输出波动达±5%。
2. 功率传递非线性
可控硅的导通角与输出功率呈非线性关系，需建立精确的导通角-功率传递函数模型。建议通过实验测量获得实际传递曲线，典型公式修正方法：
P(θ) = (2π - 2θ + sin2θ)/2π, θ∈
二、关键硬件设计验证
1. 过零检测电路优化
推荐使用光耦隔离的改进型过零检测电路，要求满足：
检测精度：100dB
响应时间：30°时进入安全模式
温度梯度保护：升温速率>5℃/s时切断电源
本方案在某型PTC加热设备实测中取得控制精度±1.5℃（设定值150℃时），超调量
[本文内容由国芯人工智能辅助生成，仅供参考] 温度控制要考虑加热的惯性比别的控制要大，积分时长要注意加长些
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