过零检测——市电经栈桥整流后光耦输出异常，是什么原因？
使用51单片机做一个简单的过零检测电路，市电经栈桥整流后进入光耦，输出端接上拉电阻理论上应该得到周期为10ms（市电周期20ms）的脉冲波，但实际得到的如附件所示，波形错误
怀疑栈桥整流有误，于是去掉栈桥，再次检测光耦输出，波形显示正常（周期20ms，占空比50%的方波）
请问大佬，经栈桥整流后光耦输出异常，是否是电路设计有误？还是其它原因，求解答！
针对过零检测电路在桥式整流后光耦输出异常的问题，结合描述的现象与测试数据，可从以下四个维度进行系统性分析：
一、桥式整流拓扑与光耦工作状态匹配性分析
1.1 理论波形对比
未整流工况：市电直接输入光耦时，光耦仅在正半周导通，负半周因反向电压被阻断（需确认是否配置反向并联保护二极管），输出周期为20ms、占空比50%的方波，符合预期。
桥式整流工况：全波整流后，正/负半周均被转换为正向电压，理论上光耦每10ms导通一次，输出周期10ms的脉冲波。若实际输出异常，需验证整流后信号特征。
1.2 关键参数验证
整流输出电压范围：桥式整流后峰值为$V{AC} \times \sqrt{2} \approx 311V$（220VAC输入），需确认光耦输入端是否配置足够限流电阻。例如，若光耦LED正向电流$IF=10mA$，则限流电阻应为$R = (311V - VF)/IF \approx 30kΩ$（$VF$为LED压降）。
反向电压风险：若整流桥未正确接入，可能导致反向电压施加于光耦，需检查二极管极性是否与市电输入匹配。
二、异常波形溯源与关键节点测试
2.1 整流输出波形实测
建议使用隔离探头测量整流桥输出端波形，确认是否符合全波整流特征：
正常波形：连续100Hz脉动直流，谷值接近0V。
异常可能：
二极管损坏导致半波整流（周期20ms）；
滤波电容残留导致电压无法归零（导通时间延长）；
接触不良引发间歇性断流。
2.2 光耦输入侧动态响应
导通阈值分析：光耦LED导通需满足$V{in} > VF + IF \times R$。若限流电阻过大，可能导致低电压区间无法触发导通，形成脉冲缺失。
关闭延迟问题：光耦关闭时间（tOFF）若大于1ms（100Hz周期10ms），可能导致脉冲重叠。需核对光耦规格书，如PC817的tOFF典型值为20μs，可排除此因素。
三、电路设计优化方向
3.1 限流电阻动态适配
整流后电压幅值翻倍，需重新计算限流电阻值。推荐公式：
$$R = \frac{V{rect\peak} - VF}{IF}$$
例如：$V{rect\peak}=311V$，$VF=1.2V$，$IF=5mA$，则$R≈62kΩ$。电阻功率需满足$P=IF^2 \times R=1.55W$，建议选用2W以上电阻。
3.2 消隐电路设计
为消除过零附近的噪声干扰，可并联小容量电容（如0.1μF/630V）于光耦输入端，吸收高频毛刺，同时避免影响主波形（时间常数τ应远小于10ms）。
四、故障排查流程建议
1. 硬件链路分段检测：
断开光耦，测量整流桥输出波形，确认是否为100Hz脉动直流。
接入光耦后复测整流桥输出，观察是否因负载效应导致波形畸变。
2. 信号链时序验证：
使用双通道示波器同步监测整流输出与光耦输出，分析导通/关断时间是否匹配理论值。
检查上拉电阻与单片机供电电压的兼容性（如5V系统需确保光耦输出高电平>2.4V）。
3. 元件参数交叉验证：
替换桥式整流模块，排除个体损坏可能。
对比不同品牌光耦（如TLP785 vs PC817）的响应特性差异。
五、结论与解决方案
根据现有现象推断，异常原因极可能为限流电阻设计不当或整流桥连接错误。建议优先执行以下操作：
1. 使用万用表测量实际限流电阻值，确认是否因功率不足导致阻值漂移。
2. 检查整流桥二极管极性（重点验证交流输入端子是否接反）。
3. 在整流桥输出端与光耦之间串联可调电阻，逐步减小阻值，观察输出波形是否恢复正常。
若问题仍未解决，需进一步提供电路原理图及实测波形截图，以便精准定位故障点。
[本文内容由国芯人工智能辅助生成，仅供参考] 看波形是光耦进入线性区导致的,
实际整流后再进光耦做过零检测,理论上只能得到过零点附近的100hz窄脉冲,不会得到占空比接近50%的方波.
图上波形是各处电阻值选取不合适引起,
实际过零电路没必要这么麻烦,光耦初级只要反并联一个4148二极管,然后再串限流电阻就可以了,光耦次级的上拉电阻也不要取过大阻值,防止光耦暗电流影响输出电压
R8、R9取消，增大R10使流过光耦的电流在5--10mA就可以。 cjtdz 发表于 2025-5-8 18:48
R8、R9取消，增大R10使流过光耦的电流在5--10mA就可以。
220V过10ma理论上耗损2.2W,前端串联一个103pf的cbb电容做限流降压试试.后级100K电阻肯定小了,给光耦输出控制电流1ma左右响应会快很多. 光耦型号？
R11过大，改成几K 网老四 发表于 2025-5-8 16:34
看波形是光耦进入线性区导致的,
实际整流后再进光耦做过零检测,理论上只能得到过零点附近的100hz窄脉冲,不 ...
感谢大佬的分析{:juhua:}
光耦次级上拉电阻调小后，波形爬升状况大大减轻，下图分别是10k和4.7k光耦输出波形（带整流桥）
但整流桥并未实现整流功能，上述波形图与去掉整流桥的波形类似 DebugLab 发表于 2025-5-8 23:00
光耦型号？
R11过大，改成几K光耦型号是EL817,单向光耦
谢谢您的回复{:aixin:}，R11取10k及4.7k后，波形爬升现象基本消失 qq603599910 发表于 2025-5-8 22:25
220V过10ma理论上耗损2.2W,前端串联一个103pf的cbb电容做限流降压试试.后级100K电阻肯定小了,给光耦输出 ...
感谢您的回复{:aixin:}
后级上拉电阻取小值出来的波形更加正常，图片在楼上
目前看来，可能是整流桥（MB10S）放置方式有误，导致未能实现整流效果 过零检测电路不光要看波形前后沿和占空比,也要注意过大的限流电阻和杂散电容引起的过零脉冲边沿延时,示波器最好用AC线路触发方式来检查延时特性
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